2022年高考化学二轮复习 专题限时训练9 物质结构与性质(选修3)

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1、2022年高考化学二轮复习 专题限时训练9 物质结构与性质(选修3) 非选择题(共6小题,共100分) 1.(xx河北唐山一模)(12分)由原子序数由小到大的A、B、C、D、E五种元素构成某配位化合物X,其原子个数比为14∶4∶5∶1∶1。其中C、D元素同主族且原子序数D为C的二倍,E元素原子的电子排布为(n-1)dn+6ns1,回答下列问题。 (1)该配位化合物X的化学式为       。  (2)元素B、C、D的第一电离能由小到大排列顺序为    。(用元素符号表示)  (3)D元素原子的最外层电子轨道表示式为      。  (4)C元素可与A元素形成两种常见的化合物,其原

2、子个数比分别为1∶1和1∶2,两种化合物可任意比互溶,解释其主要原因为           。  (5)A元素与E元素可形成一种红色离子化合物Y,其原子个数比为1∶1,该化合物Y可与稀硝酸反应,生成一种蓝色溶液和两种无色气体(其中一种为A元素的单质),写出该反应的化学方程式          。  2.(xx河北衡水一模)(20分)卤族元素的单质和化合物很多,我们可以利用所学物质结构与性质的相关知识去认识和理解。 (1)卤族元素位于周期表的  区;溴的价电子排布式为       。  (2)在一定浓度的溶液中,氢氟酸是以二分子缔合(HF)2形式存在。使氢氟酸分子缔合的作用力是    。

3、  (3)请根据下表提供的第一电离能数据判断:最有可能生成较稳定的单核阳离子的卤素原子是  。  氟 氯 溴 碘 铍 1 681 1 251 1 140 1 008 900 (4)已知高碘酸有两种形式,化学式分别为H5IO6()和HIO4,前者为五元酸,后者为一元酸。请比较二者酸性强弱:H5IO6  HIO4(填“>”“<”或“=”)。  (5)已知Cl为角形,中心氯原子周围有四对价层电子。Cl中心氯原子的杂化轨道类型为    。  (6)下图为碘晶体晶胞结构。有关说法中正确的是  。  碘晶体晶胞 A.碘分子的排列有2种不同的取向,2种取向不同

4、的碘分子以4配位数交替配位形成层结构 B.用均摊法可知平均每个晶胞中有4个碘原子 C.碘晶体为无限延伸的空间结构,是原子晶体 D.碘晶体中的碘原子间存在非极性键和范德华力 (7)已知CaF2晶体(见下图)的密度为ρ g·cm-3,NA为阿伏加德罗常数,相邻的两个Ca2+的核间距为a cm,则CaF2的相对分子质量可以表示为     。  氟化钙晶胞 3.(xx江苏四市调研)(20分)氮元素可形成氢化物、卤化物、氮化物、叠氮化物和配合物等多种化合物。 (2)F2和过量NH3在铜催化作用下反应生成NF3,NF3分子的空间构型为    。  (3)铁和氨气在640 ℃可发生置

5、换反应,产物之一的晶胞结构见图a。写出该反应的化学方程式:     。  图a 图b 图c (4)叠氮化钠(NaN3)分解反应为2NaN3(s)2Na(l)+3N2(g),下列有关说法正确的是   (填序号)。  a.常温下,N2很稳定,是因为N的电负性大 b.钠晶胞结构见图b,每个晶胞含有2个钠原子 c.第一电离能(I1):N>O>P>S d.NaN3与KN3结构类似,晶格能:NaN3

6、 4.(xx山东青岛一模)(13分)钛是20世纪50年代发展起来的一种重要的结构金属,钛合金因具有强度高、耐蚀性好、耐热性高等特点而被广泛用于各个领域。 (1)与钛同周期的所有元素的基态原子中,未成对电子数与钛相同的元素有      (填元素符号)。  (2)[Ti(OH)2(H2O)4]2+中的化学键有  。  a.σ键 b.π键 c.离子键 d.配位键 (3)纳米TiO2是一种应用广泛的催化剂,纳米TiO2催化的一个实例如下图所示。 化合物甲的分子中采取sp2杂化方式的碳原子个数为  ,化合物乙中采取sp3杂化的原子的第一电离能由小到大的顺序为    。  (

7、4)有一种氮化钛晶体的晶胞如图所示,该晶体的化学式为   ,该晶体中Ti原子周围与它距离最近且相等的N原子的个数为  。  5.(xx福建质检)(20分)开发新型储氢材料是氢能利用的重要研究方向。 (1)Ti(BH4)3是一种储氢材料,可由TiCl4与LiBH4反应制得。 ①基态Ti3+的未成对电子数有  个。  ②LiBH4由Li+和B构成,B呈正四面体构型。LiBH4中不存在的作用力有  (填标号)。  A.离子键 B.共价键 C.金属键 D.配位键 ③Li、B、H元素的电负性由大到小排列顺序为     。  (2)金属氢化物是具有良好发展前景的储氢材料。 ①LiH中

8、,离子半径:Li+  H-(填“>”“=”或“<”)。  ②某储氢材料是第三周期金属元素M的氢化物。M的部分电离能如下表所示: 738 1 451 7 733 10 540 13 630 M是  (填元素符号)。  (3)某种新型储氧材料的理论结构模型如图所示,图中虚线框内碳原子的杂化轨道类型有  种。  (4)分子X可以通过氢键形成“笼状结构”而成为潜在的储氢材料。X一定不是  (填标号)。  A.H2O B.CH4 C.HCl D.CO(NH2)2 6. (15分)卤族元素包括F、Cl、Br等。 (1)下列曲线表示卤族元素某种性

9、质随核电荷数的变化趋势,正确的是  。  (2)利用“卤化硼法”可合成含B和N两种元素的功能陶瓷,右图为其晶胞结构示意图,则每个晶胞中含有B原子的个数为  ,该功能陶瓷的化学式为  。  (3)BCl3和NCl3中心原子的杂化方式分别为  和  。第一电离能介于B、N之间的第二周期元素有  种。  (4)若BCl3与XYn通过B原子与X原子间的配位键结合形成配合物,则该配合物中提供孤电子对的原子是  。  九 物质结构与性质(选修3) 1.答案:(1)[Cu(NH3

10、)4]SO4·H2O (2)S

11、)2+H2↑+2NO↑,补水配氢6CuH+16HNO36Cu(NO3)2+3H2↑+4NO↑+8H2O。 2.答案:(1)p 4s24p5 (2)氢键 (3)碘 (4)< (5)sp3杂化 (6)A (7)a3ρ NA 解析:(1)溴位于第四周期,ⅦA族,所以价电子数为7;(3)应注意铍不属于卤素原子;(4)后者的非羟基氧为3个,前者只有1个,所以后者酸性强;(5)中心原子Cl原子形成两个σ键,孤电子对数==2,sp3杂化;(6)在立方体的顶面上,有5个I2,4个方向相同,结合其他面考虑可知A选项正确;每个晶胞中有4个碘分子,B选项错误;C选项,此晶体是分子晶体,错误;D选项,碘原子间只

12、存在非极性共价键,范德华力存在于分子与分子之间,错误;(7)一个晶胞中含有Ca2+为顶点(1)+面心(3)=4;含有F-为8个;相邻的Ca2+是顶点与面心的距离最短,所以该晶胞的棱长为a,一个晶胞的体积为2a3,一个晶胞的质量为 g,依据ρ=列式计算。 3.答案:(1)3  (2)三角锥形  (3)8Fe+2NH32Fe4N+3H2  (4)bc (5)abcd sp2、sp3 解析:(1)当有4 mol N—H键断裂时,消耗1 mol N2H4,生成 mol N2,形成3 mol π键;(2)N原子最外层有5个电子与3个F原子形成3个σ键,还余2个电子形成1个孤电子对,为sp3杂

13、化,三角锥形;(3)1个晶胞含有4个铁、1个N,所以化学式为Fe4N,依据元素守恒还生成氢气;(4)N2很稳定是因为形成N≡N,a错误;d选项,结构相似,K+的离子半径比较大,所以晶格能小,错误;(5)—CH3中碳原子以4个单键与4个原子相连为sp3杂化、其余碳原子均形成3个σ键,1个π键,无孤对电子,为sp2杂化。 4.答案:(1)Ni、Ge、Se (2)ad (3)7 C

14、阳离子,无阴离子,所以无离子键;(3)苯环上的6个碳原子、与O以CO键相连的1个碳原子均以sp2杂化;1个O原子形成2个σ键还有2个孤电子对为sp3杂化、1个N原子形成3个σ键还有1个孤电子对为sp3杂化、除苯环外的3个碳原子均形成4个σ键为sp3杂化;N原子顶点1个加面心3个共4个、Ti原子中心4个。 5.答案:(1)①1 ②C ③H>B>Li (2)①< ②Mg (3)3 (4)BC 解析:(1)①Ti3+的核外电子排布式[Ar]3d1;③由B可知H的化合价为-1价,所以H的电负性大于B;(2)①Li+、H-的核外电子排布相同,原子序数越大,离子半径越小;②由M的第2与第3电离能的差值

15、可知M为ⅡA族元素,为第3周期元素Mg;(3)依据碳原子连接其他碳原子的个数进行分析,碳原子与4个、3个、2个碳原子相连,分别为sp3、sp2、sp杂化;(4)CH4、HCl不能形成氢键。 6.答案:(1)A  (2)2 BN  (3)sp2 sp3 3  (4)X 解析:(1)元素非金属性越强,其电负性也越大,F的电负性最强,A正确;F元素无正价,B错误;因HF之间可形成氢键,使其沸点升高,C错误;随核电荷数增加,F2、Cl2、Br2的熔点依次升高,D错误。 (2)由题给晶胞结构示意图可知,每个晶胞中含有B原子个数为8+1=2,含有N原子个数为4+1=2。故该功能陶瓷的化学式为BN。 (3)B原子最外层只有3个电子,BCl3中B原子杂化方式为sp2;N原子最外层有5个电子,NCl3中N原子杂化方式为sp3。同一周期中元素的第一电离能随原子序数递增,呈现逐渐升高的趋势,但是在第二周期中,Be的第一电离能大于B,N的第一电离能大于O,故第一电离能介于B和N之间的有Be、C、O 3种。 (4)BCl3中B原子最外层存在空轨道,故只能是X原子提供孤电子对。

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