中文BOEHFTFTSD超解像技术资料

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1、超级超级解解像技術像技術 S/D Pattern(Channel Length S/D Pattern(Channel Length：3.5um)3.5um)SK-ElectronicsSK-Electronics20122012.2 2 制作制作2012 SK-Electronics CO.,LTD.All rights reserved.SKE confidentialIntroduction(1/4)利用半导体业界中广泛应用的利用半导体业界中广泛应用的Assist PatternAssist Pattern开发开发MaskMask新产品新产品利用利用Assist PatternAssis

2、t Pattern光回折效果，提高光回折效果，提高解像度。解像度。IntensityIntensity UP无Assist Pattern有Assist PatternAssist PatternAssist Pattern解像极限以下的解像极限以下的SlitSlit2012 SK-Electronics CO.,LTD.All rights reserved.SKE confidentialIntroduction(2/4)利用利用HalfHalf tone tone型型PSM,PSM,实现解像度的提升实现解像度的提升。QZPhase Shift film随随Phase ShiftPhase

3、 Shift膜膜，它的，它的波長波長将将180deg.Shift180deg.Shift。同样Phase 不同PhaseLineLineSpaceSpace界限部位的界限部位的ContrastContrast将会提升将会提升、随之解像度也会上升随之解像度也会上升。光束的抵消现象光束的抵消现象2012 SK-Electronics CO.,LTD.All rights reserved.SKE confidentialIntroduction(3/4)利用光回折效果，实现利用光回折效果，实现IntensityIntensity的提升的提升。IntensityIntensityBinaryHTMT

4、OP Intensity UP两种成分合二为一，达到Intensity提高的效果透过率310%的Half Tone膜Contrast恶化2012 SK-Electronics CO.,LTD.All rights reserved.SKE confidentialIntroduction(4/4)接下来将着重介绍以下接下来将着重介绍以下2 2种解像技术种解像技术。IntensityTOP ViewSide View光振幅分布ReferencePSHTPhase Shift filmHalf tone film+-+-+-Simulation ResultsSSM2012 SK-Electron

5、ics CO.,LTD.All rights reserved.SKE confidentialMask Design&ConditionMask DesignCondition初期膜厚初期膜厚 ：2.2um2.2umREFPSMHTCrPSHTCut line2012 SK-Electronics CO.,LTD.All rights reserved.SKE confidentialSimulation Result:Intensity Round typeIntensity SimulationREFPSMHT2012 SK-Electronics CO.,LTD.All rights

6、reserved.SKE confidentialSimulation Result:Resolution Target 0.6um(Comparison of DOSE、Resist Profile)DOSE比較比較(EOP)Resist ProfileUnit：mj与与RefRef相比，未发现任何差别相比，未发现任何差别Cut_ line：Xsourcechanneldrain与其它相比，与其它相比，HT(8%)HT(8%)的的Contrast(Taper Contrast(Taper Angle)Angle)较低较低。2012 SK-Electronics CO.,LTD.All rig

7、hts reserved.SKE confidentialSimulation Result:Resolution Target 0.6um(Comparison of RTPR：Channel)PR残膜厚RangeSimulation実施。Cutline 依赖性依赖性(x、y、r)RTPR:Channel part 与与RefRef相比，没有任何差别相比，没有任何差别。2012 SK-Electronics CO.,LTD.All rights reserved.SKE confidentialSimulation Result:Resolution Target 0.6um(Compari

8、son of RTPR：Channel、RTPR：Source Part)PR残膜厚RangeSimulation実施。Defocus 依赖性(0、15、30um)RTPR:Channel part Source part(Top-Resist)：RTPR与与RefRef相比相比，RTPRRTPR的变化幅度也没有因的变化幅度也没有因为为DefocusDefocus而产生差距。而产生差距。与与RefRef相比相比，还是未产生任何，还是未产生任何差距差距。未产生未产生Top-LossTop-Loss。2012 SK-Electronics CO.,LTD.All rights reserved.S

9、KE confidential总结总结：SSMSSM总结总结SSMSSM类型分别和类型分别和BinaryBinary，PSMPSM，HTMHTM相比，没有任何差别相比，没有任何差别。可以利用可以利用Binary PatternBinary Pattern，足可以达到窄宽效果，足可以达到窄宽效果。Simulation Results 全全解像解像 2012 SK-Electronics CO.,LTD.All rights reserved.SKE confidentialSimulation Result:Resolution Target 3.5um(Comparison of DOSE、R

10、esist Profile)DOSE比較比較(EOP)Resist ProfileUnit：mj与与RefRef相比相比,HT(8%)HT(8%)对产生能削减对产生能削减24%Dose24%Dose的效果。同时削减了的效果。同时削减了Tact Tact TimeTime。Cut_ line：Xsourcechanneldrain与其它相比，与其它相比，HT(8%)HT(8%)的的Contrast(Taper Angle)Contrast(Taper Angle)是比较小的是比较小的。PSMPSM和和HT(8HT(8%)%)，有些许，有些许Top-LossTop-Loss。2012 SK-Ele

11、ctronics CO.,LTD.All rights reserved.SKE confidentialSimulation Result:Resolution Target 3.5um(Comparison of CD：Channel、RTPR：Source Part)PR残膜厚RangeSimulation実施。Defocus 依依赖赖性性(0、15、30um)CD:Channel part 与与RefRef相比相比，随着，随着 DefocusDefocus变化，变化，PSMPSM的的CDCD变化幅度约有的改善，而变化幅度约有的改善，而HT(8%)HT(8%)有近有近130nm130nm恶化。恶化。Source part(Top-Resist)：RTPR随随DefocusDefocus而产生的而产生的RTPRRTPR的变化幅度，只的变化幅度，只有对有对PSMPSM造成影响造成影响(2846(2846)。而而PSMPSM和和HTMHTM，与，与RefRef相比较，存在约相比较，存在约200200 Top-Loss Top-Loss。2012 SK-Electronics CO.,LTD.All rights reserved.SKE confidentialConclusion：S/D全解像(3.5um)