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1、Click to edit Master title style,,Click to edit Master text styles,,Second level,,Third level,,Fourth level,,Fifth level,,*,*,*,第九章 屏蔽交换局域密度近似,sX,-LDA,方法,,的,,关键步骤,1,,DFT Implementations,2,,sX,-LDA,方法的优点,sX,-LDA,方法的框架：,Generalized Kohn-Sham scheme (,包括微扰势,).,,目的：通过非局域屏蔽势描述交换关联势的不连续性，从而给出较好的半导体带隙且无需任
2、何可调参数。,,优点：对比完全的准粒子计算，如,GWA,，它的计算量小得多，同时允许确定基态和激发态的性质。,3,,sX,-LDA,的理论方法,包括微扰的,generalized KS,方程如下：,(9.1),,其中 都是,sX,下的势函数。,(9.2),,H,LDA,是,LDA Hamiltonian,，,v,sx,NL,是非局域势,Fock,交换算符，,,v,sx,L,是相应的局域势算符， 是,sX,-LDA,本征矢。,,对于,Δ,v,sx,，,通常采用,Thomas-Fermi,屏蔽，所以,sX,非局域势,(9.3),,(9
3、.4),,4,,sX,-LDA,的理论方法,-2,相应的,sX,局域势为,(9.5),,(9.6),,5,,Screened exchange:,sX,-LDA,1,2,1. B. M.,Bylander,and L.,Kleinman,, Phys. Rev. B 41, 7868 (1990),,2. A.,Seidl,, A.,Görling,,,P.Vogl,, . A.,Majewski,, and M. Levy, Phys. Rev. B 53,,,3764 (1996),,6,,sX,-FLAPW,1. H. J. F. Jansen and A. J. Freeman, P
4、hys. Rev. B 30, 561 (1984),,2. M. C. Huang(,黄美纯,),H. J. F.,Jansen,and,A. J. Freeman,,Phys. Rev,. B37, 3489-3496 (1988),,3. S.,Massidda,, M.,Posternak,, and A.,Baldereschi,, Phys. Rev. B 48, 5058 (1993),,4. S.,Massidda,, A.,Continenza,, M.,Posternak,, and A.,Balderschi,, Phys. Rev. B 55, 13494 (19
5、97),where,7,,Geometry and SCF Cycles,8,,Band Gaps,sX,-FLAPW,9,,Optical Absorption Spectrum of,GaAs,10,,CdO,的能带结构,实线：,sX,-LDA,,,半导体,,虚线：,LDA,,,半金属,Cd-5s,O-2p,11,,Energy,Bandstructures,with,sX,-FLAPW,LDA,为负带隙的两个材料,12,,Γ,-L Separation vs. Band Gaps,13,,小结,sX,-LDA,方法的主要优点是，它既适于基态性质的计算，又适于激发态的计算。计算量较小。,,主要手法是在交换关联势中考虑非局域屏蔽交换势的修正。因此可在原来,LDA,近似的基础上，比较方便地实现计算程序的更新。,,非局域屏蔽交换势只作为微扰处理。,sX,波函数直接由,KS-LDA,波函数线性组合而成，所以，可以通过二次变分计算出可描写激发态的结果。,14,,
DFT-9屏蔽交换局域密度近似
