刻蚀PECVD车间工艺课件

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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,刻蚀+PECVD工艺报告,北京中联科伟达技术股份有限公司,工艺研发部,概述,口等离子刻蚀,日等离子刻蚀原理,凵等离子体刻蚀机组成,口等离子体刻蚀质量控制及检测,拟解决的问题,口 PECVD镀 SiNx:H薄膜,PECVD镀膜技术,PECVD工作流程,口SiN簿膜质量异常,口拟解决的问题,等离子刻蚀的基本原理,等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活,成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻,蚀的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性生,成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得,良好的物理形貌。(这是各向同性反应),这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀,等离子刻蚀的基本原理,氟化合物等离子体,CFx离子,sI,(C离子,基团,表面移动siSi2,SiF3 O,反应层,等离子刻蚀的基本原理,母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或,离子,CE,CF,CF,CF,F,C以及它们的离子,这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达Si02表面,并在表,面上发生化学反应,生产过程中,CF4中掺入02,这样有利于提高Si和Si02的刻蚀速率,