14特殊二极管-模拟电子技术

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1、Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,*,*,1.4特殊二极管,1.5.1稳压管,1.5.2变容二极管,1.5.3光电器件,1.4.1,稳压管,一、硅稳压管及其伏安特性,符号,工作条件：,反向击穿,a k,特性,I,U,O,U,Z,I,Zmin,I,ZM,U,Z,I,Z,I,Z,+,+,特点：,*,正向特性与普通二极相同,*,反向击穿特性较陡,*,反向击穿电压 几 几十V，,在允许范围内为电击穿,二、主

2、要参数,1.,稳定电压,U,Z,流过规定电流时稳压管,两端的反向电压值。,2.,稳定电流,I,Z,越大稳压效果越好，,小于,I,min,时不稳压。,3.,最大工作电流,I,ZM,最大耗散功率,P,ZM,P,ZM,=,U,Z,I,ZM,4.,动态电阻,r,Z,r,Z,=,U,Z,/,I,Z,越小稳压效果越好。,几,几十,I,U,O,U,Z,I,Zmin,I,ZM,U,Z,I,Z,I,Z,5.,稳定电压温度系数,C,T,一般，,U,Z,4 V,，,C,TV,7 V,，,C,TV,0,(为雪崩击穿),具有正温度系数；,4 V,U,Z,7 V,，,C,TV,很小。,表1.4.1 几种硅半导体稳压二极管

3、的主要参数,参数,型号,U,Z,/V,I,Z,/mA,I,ZM,/,mA,r,Z,/,C,TV,/,(%/,C),P,ZM,/W,2CW55,2CW71,2DW7A*,6.2 7.5,35 40,5.8 6.6,10,3,10,33,6,30,15,100,25,0.06,0.10,0.05,0.25,0.25,0.25,具有温度补偿的2DW系列,1,2,3,正温度系数,负温度系数,2DW,1 2 3,对应正极,三、使用稳压管注意事项,必须工作在反向偏置(利用正向特性稳压除外)。,工作电流应在,I,Z,和,I,ZM,之间。,串联使用时，稳压值等于各管稳压值之和。,不能并联使用，以免因不同管子稳

4、压值的差异造成电流分配不均匀，引起管子过载损坏。,例 1.4.1,已知,U,Z1,=,8,V,，,U,Z2,=,6,V,，,u,i,=,12sin,t,V,，画,u,O,波形。,解,u,i,正半波，D,Z1,反偏，,D,Z2,正偏,当,u,i,U,Z1,+,U,F2,=8.7 V时，D,Z1,反向击穿，,D,Z2,正向导通,u,i,负半波，D,Z1,正偏，,D,Z2,反偏,当,|,u,i,|,U,F1,+,U,Z2,=6.7 V时，D,Z2,反向击穿，,D,Z1,正向导通,三、使用注意事项,1.,稳压时必须,反,向,偏,置；,2.必须串接,限流,电阻，以保证,I,Z,I,I,ZM,。,3.反向

5、击穿电压较普通二极管小，几 几十V。,串联使用时稳压值为各管稳压值之和；,不能并联,使用，以免因电流分配不均引起过载使管子损坏。,1.4.2,变容二极管,符号,工作条件：,反向偏置,特性,特点：,*,反偏时，势垒电容随外加电,压升高而降低，可作为压控,可变电容。,*,电容量较小，几十几百pF。,*,最大与最小电容比为 5:1。,用途：,*,高频电路中自动调谐、调频、,调相等。,1.4.3,光电器件,一、光电(,光敏,)二极管,1符号和特性,U,I,O,暗电流,E,=200 lx,E,=400 lx,工作条件：,反向偏置,2.结构和工作原理,入射光,玻璃透镜,管芯,管壳,电极引线,无光照时，暗电

6、流小，反向电阻高达几十兆欧。,光照时，产生光生载流子从而形成光电流，光电流随光照强弱变化，反向电阻降为几千欧 几十千欧。,二、发光二极管,LED,(,Light Emitting Diode,),1.符号和特性,工作条件：,正向偏置,一般工作电流几十 mA，,导通电压(1,2.5)V,2.主要参数,电学参数：,I,FM,，,U,(BR),，,I,R,光学参数：,峰值波长,P,，,亮度,L,，,光通量,发光类型：,可见光：,红、黄、绿,不可见光：,红外光,符号,u,/V,i,/mA,O,2,特性,材料：,砷化镓，磷化镓 等,3.显示类型,普通 LED,七段 LED,点阵 LED,4.特点,体积小

7、、发光均匀稳定、亮度较高、响应快、寿命长,工作电压,U,F,低,(约 2,V),，工作电流小,I,F,(可取 10,mA),5.应用,显示、光电传输系统、与光电管构成光电耦合器件,发射电路,接,收,电,路,光缆,5.驱动电路,R,U,C,LED,I,F,u,c,R,D,I,F,LED,直流驱动电路,交流驱动电路,限流电阻的选择：,1.设定工作电压：如,2 V,（LED正向电压 1 2.5 V）,2.设定工作,电流：,如,10 mA,（10 30 mA,),3.根据欧姆定律求电阻：,R,=(,U,C,U,F,)/,I,F,(,R,要选择标称值,),普通二极管、稳压管限流电阻的选择也参照此法,避免

8、LED承受高反压,三、激光二极管,1.物理结构,在发光二极管的PN结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经抛光后具有部分反射功能，形成一光谐振腔，在正向偏置条件下，LED结发出光并与光谐振腔相互作用，进一步激励从PN结发射的单波长红外光。,N型,P型,光活性,半导体,抛光面,激光,2.应用,远距离光纤通信的光源、计算机光驱、激光打印机打印头等。,谢谢观看,/,欢迎下载,BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLE

9、SS OF OBSTACLES.BY FAITH I BY FAITH,内容总结,1.4特殊二极管。*反向击穿电压 几 几十V，。1.稳定电压 UZ。小于 Imin 时不稳压。3.最大工作电流 IZM。5.稳定电压温度系数 CT。表1.4.1 几种硅半导体稳压二极管的主要参数。IZ/mA。/(%/C)。5.8 6.6。工作电流应在 IZ 和 IZM之间。串联使用时，稳压值等于各管稳压值之和。不能并联使用，以免因不同管子稳压值的差异造成电流分配不均匀，引起管子过载损坏。3.反向击穿电压较普通二极管小，几 几十V。串联使用时稳压值为各管稳压值之和。1.4.2 变容二极管。*最大与最小电容比为 5:1。*高频电路中自动调谐、调频、。1.4.3 光电器件。E=400 lx。无光照时，暗电流小，反向电阻高达几十兆欧。光照时，产生光生载流子从而形成光电流，光电流随光照强弱变化，反向电阻降为几千欧 几十千欧。i /mA。材料：砷化镓，磷化镓 等。谢谢观看/欢迎下载,