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1、DCY深圳市登辰易科技有限公司
AO3401
SOT-23 埸效應晶怡管(SOT-23 Field Effect Transistors)
P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
p MOS
■MAXIMUM RATINGS
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Max
最大値
Unit 單位
Drain ・Source \ oltage 漏極■源極電壓
B\dss
-30
V
Gate・ Soiuce Aoltage 栅極■源極電壓
Vgs
+12
V
Drain CiUTent (con
2、tinuous) 漏極電流■連續
b
・3.8
A
Drain Current (pulsed) 漏極電流■脉冲
Idm
-15
A
Total Device Dissipation 總耗散功率
Ta=25C環境溫度爲25C
PD
1250
mW
Jimction 結溫
Tj
150
C
Solder Temperatiire/Solder Time 焊接溫度/焊接時間
T/t
260/10
c/s
Storage Temperatine 儲存溫度
Tstg
・ 55to+150
C
AO3401
■ELECTRICAL CHARACT
3、ERISTICS
(Ta=25 ：C unless othenvise noted 如無持殊視明，溫度爲 25C)
Chaiacteristic 特性參數
Symbol 符號
Mill 最小値
Typ 典型値
Max 最大値
Unit
單位
Drain・Source Breakdown \bltage 漏極■源極擊穿電壓(Id =・250uA,VGS=0V)
BVDSS
-30
—
—
V
Gate Thieshold \bltage
栅極開启電壓(Id =・250uA,Vgs= Yds)
GS(th)
-0.6
—
-2
V
Diode Fonva
4、rd\oltage Drop 内附二極管正向壓降(Is= ・1A,Vgs=0罚
VSD
—
—
・1
V
Zero Gate \oltage Drain Cunent 零栅壓漏極電流(Vgs=0V, Vds= ・24V) (Vgs=0V, Vds= ・24\； Ta=55C)
IDSS
—
—
-1 ・5
uA
Gate Body Leakage
柵極漏雷流(Vgs=12V, Vds=0门
IGSS
—
—
+100
iiA
Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(Id-・3.8A,"Vgs-
R
5、ds(on)
—
50
60
mQ
Static Drain・Souice On・State Resistance 静态漏源導通電阻(Id= ・2A,Vgs= ・4.5V)
Rds(on)
—
60
80
mQ
Static Drain・Souice On-State Resistance 静态漏源導通電阻(Id=・1 A,Vgs= ・2.5V)
Rds(on)
—
75
100
mQ
Input Capacitance 輸入電容
Ggs=OV, Vds= ・15\：fMMHz)
ClSS
—
954
—
PF
Output Capacitanc
6、e 輸出電容 Ggs=0V, Vds= -15V,f^lMHz)
Coss
—
115
—
PF
Tiun-ON Time开启時間
(Vds= -15V, Vgs= -10V, Rgen=6Q)
t(on)
—
6.3
—
ns
Tum-OFF Tiuie关断時間
(Vds= -15V, Vgs= -iov, Rgen=6Q)
t(off)
38.2
—
ns
Pulse Width<300 “ s; Duty Cycle<2.0%
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AO3401
■DIMENSION 外寸
單位(UNIT)： mm
p
序號
數值及公差
A
2.900. 10
B
1.30 + 0. 10
C
1.00 + 0. 10
D
0.40 + 0. 10
E
2.40 + 0.20
G
1.900. 10
II
0. 950.05
J
0. 130.05
K
0. 00-0. 10
M
>0. 2
N
0. 600. 10
P
72
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