DS18B20介绍

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1、精品文档，仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 　数字温度传感器DS18B20 介绍 　　TS-18B20数字温度传感器，该产品采用美国DALLAS公司生产的 DS18B20可组网数字温度传感器芯片封装而成，具有耐磨耐碰，体积小，使用方便，封装形式多样，适用于各种狭小空间设备数字测温和控制领域。 实物图 　　1、DS18B20的主要特性 　　1.1、适应电压范围更宽，电压范围：3.0～5.5V，在寄生电源方式下可由数 据线供电 　　1.2、独特的单线接口方式，DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯 　　1.

2、3、 DS18B20支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在唯一的三线上，实现组网多点测温 　　1.4、DS18B20在使用中不需要任何外围元件，全部 传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内 　　1.5、温范围－55℃～＋125℃，在-10～+85℃时精度为0.5℃ 　　1.6、可编程 的分辨率为9～12位，对应的可分辨温度分别为0.5℃、0.25℃、0.125℃和0.0625℃，可实现高精度测温 　　1.7、在9位分辨率时最多在 93.75ms内把温度转换为数字，12位分辨率时最多在750ms内把温度值转换为数字，速度更快 　　1.8、测量结果直接输出数

3、字温度信号，以"一 线总线"串行传送给CPU，同时可传送CRC校验码，具有极强的抗干扰纠错能力 1.9、负压特性：电源极性接反时，芯片不会因发热而烧毁， 但不能正常工作。 2、DS18B20的外形和内部结构DS18B20内部结构主要由四部分组成：64位光刻ROM 、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。DS18B20的外形及管脚排列如下图1: DS18B20引脚定义： (1)DQ为数字信号输入/输出端； 　　(2)GND为电源地； 　　(3)VDD为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地）。 　　图2： DS18B20内部结构图 　　3、

4、DS18B20工作原理 　　DS18B20的读写时序和测温原理与DS1820相同，只是得到的温度值的位数因分辨率不同而不同，且温度转换时的延时时间由2s 减为750ms。 DS18B20测温原理如图3所示。图中低温度系数晶振的振荡频率受温度影响很小，用于产生固定频率的脉冲信号送给计数器1。高温度系数晶振随温度变化其振荡率明显改变，所产生的信号作为计数器2的脉冲输入。计数器1和温度寄存器被预置在－55℃所对应的一个基数值。计数器1对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行减法计数，当计数器1的预置值减到0时，温度寄存器的值将加1，计数器1的预置将重新被装入，计数器1重 新开始对低温度系数晶振产生的脉

5、冲信号进行计数，如此循环直到计数器2计数到0时，停止温度寄存器值的累加，此时温度寄存器中的数值即为所测温度。图3中的斜率累加器用于补偿和修正测温过程中的非线性，其输出用于修正计数器1的预置值。 　　图3： DS18B20测温原理框图 　　DS18B20有4个主要的数据部件： （1）光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是：开始8位 （28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码（CRC=X8+X5+X4+1）。光刻ROM的作用 是使每一个DS18B20都各

6、不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。 （2）DS18B20中的温度传感器可完成对温度的测量，以12位转化为例：用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供，以 0.0625℃/LSB形式表达，其中S为符号位。 　　表1: DS18B20温度值格式表 　　这是12位转化后得到的12位数据，存储在18B20的两个8比特的RAM中，二进制中的前面5位是符号位，如果测得的温度大于0， 这5位为0，只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度；如果温度小于0，这5位为1，测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际 温度。 例如+125℃的数字输出为07D0H，

7、+25.0625℃的数字输出为0191H，-25.0625℃的数字输出为FF6FH，-55℃的数字输出为FC90H 。 　　表2: DS18B20温度数据表 　　（3）DS18B20温度传感器的存储器 DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EEPRAM,后者存放高温度和低温度触发器 TH、TL和结构寄存器。 （4）配置寄存器 该字节各位的意义如下： 　　表3： 配置寄存器结构 TM R1 R0 1 1 1 1 1 　　低五位一直都是"1"，TM是测试模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B

8、20出厂时该位被设置为0，用 户不要去改动。R1和R0用来设置分辨率，如下表所示：（DS18B20出厂时被设置为12位） 　　表4： 温度分辨率设置表 R1 R0 分辨率 温度最大转换时间 0 0 9位 　　93.75ms 0 1 10位 　　187.5ms 1 0 11位 　　375ms 1 1 12位 　　750ms 　　4、高速暂存存储器 高速暂存存储器由9个字节组成，其分配如表5所示。当温度转换命令发布后，经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在 高速暂存存储器的第0和第1个字节。单片机可通过单线接口读到该数据，读取时低位在前，高

9、位在后，数据格式如表1所示。对应的温度计算： 当符号位S=0时，直接将二进制位转换为十进制；当S=1时，先将补码变为原码，再计算十进制值。表 2是对应的一部分温度值。第九个字节是 冗余检验字节。 　　表5： DS18B20暂存寄存器分布 　　寄存器内容 字节地址 温度值低位 （LS Byte） 0 温度值高位 （MS Byte） 1 高温限值（TH） 2 低温限值（TL） 3 配置寄存器 4 保留 5 保留 6 保留 7 CRC校验值 8 　　根据DS18B20的通讯协议，主机（单片机）控制DS18B20完成温度转换必须经过三个步骤：每一次读写

10、之前都要对DS18B20进行 复位操作，复位成功后发送一条ROM指令，最后发送RAM指令，这样才能对DS18B20进行预定的操作。复位要求主CPU将数据线下拉500微秒，然后 释放，当DS18B20收到信号后等待16～60微秒左右，后发出60～240微秒的存在低脉冲，主CPU收到此信号表示复位成功。 　　表6： ROM指令表 　　 指 令 约定代码 功 能 读ROM 33H 读DS1820温度传感器ROM中的编码（即64位地址） 　　符合 ROM 55H 发出此命令之后，接着发出 64 位 ROM 编码，访问单总线上与该编码相对应的 DS1820 使之作出响应，为下一

11、步对该 DS1820 的读写作准备。 　　搜索 ROM 0FOH 用于确定挂接在同一总线上 DS1820 的个数和识别 64 位 ROM 地址。为操作各器件作好准备。 　　跳过 ROM 0CCH 　　忽略 64 位 ROM 地址，直接向 DS1820 发温度变换命令。适用于单片工作。 　　告警搜索命令 0ECH 　　执行后只有温度超过设定值上限或下限的片子才做出响应。 　　表6： RAM指令表 　　 指 令 约定代码 功 能 温度变换 44H 启动DS1820进行温度转换，12位转换时最长为750ms（9位为93.75ms）。结果存入内部9字节

12、RAM中。 　　读暂存器 0BEH 读内部RAM中9字节的内容 　　写暂存器 　4EH 发出向内部RAM的3、4字节写上、下限温度数据命令，紧跟该命令之后，是传送两字节的数据。 　　复制暂存器 　48H 　　将RAM中第3 、4字节的内容复制到EEPROM中。 　　重调 EEPROM 0B8H 　　将EEPROM中内容恢复到RAM中的第3 、4字节。 读供电方式 0B4H 　　读DS1820的供电模式。寄生供电时DS1820发送“ 0 ”，外接电源供电 DS1820发送“ 1 ”。 　　5、DS18B20的应用电路 DS18B20

13、测温系统具有测温系统简单、测温精度高、连接方便、占用口线少等优点。下面就是DS18B20几个不同应用方式下的 测温电路图： 5.1、DS18B20寄生电源供电方式电路图 如下面图4所示，在寄生电源供电方式下，DS18B20从单线信号线上汲取能量：在信号线DQ处于高电平期间把能量储存在内部 电容里，在信号线处于低电平期间消耗电容上的电能工作，直到高电平到来再给寄生电源（电容）充电。 　　独特的寄生电源方式有三个好处： 　　1）进行远距离测温时，无需本地电源 　　2）可以在没有常规电源的条件下读取ROM 　　3）电路更加简洁，仅用一根I/O口实现测温 　　要想使DS18B20进

14、行精确的温度转换，I/O线必须保证在温度转换期间提供足够的能量，由 于每个DS18B20在温度转换期间工作电流达到1mA，当几个温度传感器挂在同一根I/O线上进行多点测温时，只靠4.7K上拉电阻就无法提供足够的 能量，会造成无法转换温度或温度误差极大。 　　因此，图4电路只适应于单一温度传感器测温情况下使用，不适宜采用电池供电系统中。并 且工作电源VCC必须保证在5V，当电源电压下降时，寄生电源能够汲取的能量也降低，会使温度误差变大。 图4 　　图4 　　5.2、DS18B20寄生电源强上拉供电方式电路图 改进的寄生电源供电方式如下面图5所示，为了使DS18B20在动态转换周期中

15、获得足够的电流供应，当进行温度转换或拷贝到 E2存储器操作时，用MOSFET把I/O线直接拉到VCC就可提供足够的电流，在发出任何涉及到拷贝到E2存储器或启动温度转换的指令后，必须在最 多10μS内把I/O线转换到强上拉状态。在强上拉方式下可以解决电流供应不走的问题，因此也适合于多点测温应用，缺 点就是要多占用一根I/O口线进行强上拉切换。 图5 　　图5 　　注意：在图4和图5寄生电源供电方式中，DS18B20的VDD引脚必须接地 　　5.3、DS18B20的外部电源供电方式 在外部电源供电方式下，DS18B20工作电源由VDD引脚接入，此时I/O线不需要强上拉，不存在电源电流

16、不足的问题，可以保证 转换精度，同时在总线上理论可以挂接任意多个DS18B20传感器，组成多点测温系统。注意：在外部供电的方式下，DS18B20的GND引脚不能悬空 ，否则不能转换温度，读取的温度总是85℃。 　　图6：外部供电方式单点测温电路 图6 　　图7：外部供电方式的多点测温电路图 图7 外部电源供电方式是DS18B20最佳的工作方式，工作稳定可靠，抗干扰能力强，而且电路也比较简单，可以开发出稳定可靠的多点温度 监控系统。站长推荐大家在开发中使用外部电源供电方式，毕竟比寄生电源方式只多接一根VCC引线。在外接电源方式下， 可以充分发挥DS18B20宽电源电压范围的优点，

17、即使电源电压VCC降到3V时，依然能够保证温度量精度。 6、工作时序(图略)： 6.1 DS18B20的初始化 　　（1） 先将数据线置高电平“1”。 　　（2） 延时（该时间要求的不是很严格，但是尽可能的短一点） 　　（3） 数据线拉到低电平“0”。 　　（4） 延时750微秒（该时间的时间范围可以从480到960微秒）。 　　（5） 数据线拉到高电平“1”。 　　（6） 延时等待（如果初始化成功则在15到60毫秒时间之内产生一个由DS18B20所返回的低电平“0”。据该状态可以来确定它的存在，但是应注意不能无限的进行等待，不然会使程序进入死循环，所以要进行超时

18、控制）。 　　（7） 若CPU读到了数据线上的低电平“0”后，还要做延时，其延时的时间从发出的高电平算起（第（5）步的时间算起）最少要480微秒。 　　（8） 将数据线再次拉高到高电平“1”后结束。 　6.2 DS18B20的写操作 　　（1） 数据线先置低电平“0”。 　　（2） 延时确定的时间为15微秒。 　　（3） 按从低位到高位的顺序发送字节（一次只发送一位）。 　　（4） 延时时间为45微秒。 　　（5） 将数据线拉到高电平。 　　（6） 重复上（1）到（6）的操作直到所有的字节全部发送完为止。 　　（7） 最后将数据线拉高。 　　6.3

19、DS18B20的读操作 　　（1）将数据线拉高“1”。 　　（2）延时2微秒。 　　（3）将数据线拉低“0”。 　　（4）延时15微秒。 　　（5）将数据线拉高“1”。 　　（6）延时15微秒。 　　（7）读数据线的状态得到1个状态位，并进行数据处理。 　　（8）延时30微秒。 　　7、DS1820使用中注意事项 DS1820虽然具有测温系统简单、测温精度高、连接方便、占用口线少等优点，但在实际应用中也应注意以下几方面的问题： 6.1、较小的硬件开销需要相对复杂的软件进行补偿，由于DS1820与微处理器间采用串行数据传送，因此 ，在对DS1820进行读写

20、编程时，必须严格的保证读写时序，否则将无法读取测温结果。在使用PL/M、C等高级语言进行系统程序设计时，对 DS1820操作部分最好采用汇编语言实现。 6.2、在DS1820的有关资料中均未提及单总线上所挂DS1820数量问题，容易使人误认为可以挂任意多个 DS1820，在实际应用中并非如此。当单总线上所挂DS1820超过8个时，就需要解决微处理器的总线驱动问题，这一点在进行多点测温系统设计时 要加以注意。 6.3、连接DS1820的总线电缆是有长度限制的。试验中，当采用普通信号电缆传输长度超过50m时，读取的 测温数据将发生错误。当将总线电缆改为双绞线带屏蔽电缆时，正常通讯距离可达150m，

21、当采用每米绞合次数更多的双绞线带屏蔽电缆时，正 常通讯距离进一步加长。这种情况主要是由总线分布电容使信号波形产生畸变造成的。因此，在用DS1820进行长距离测温系统设计时要充分考 虑总线分布电容和阻抗匹配问题。 6.4、在DS1820测温程序设计中，向DS1820发出温度转换命令后，程序总要等待DS1820的返回信号，一旦 某个DS1820接触不好或断线，当程序读该DS1820时，将没有返回信号，程序进入死循环。这一点在进行DS1820硬件连接和软件设计时也要给予 一定的重视。 测温电缆线建议采用屏蔽4芯双绞线，其中一对线接地线与信号线，另一组接VCC和地线，屏蔽层在源端单点接地。 8、本次

22、课程设计说明： 题目：使用DS18B20温度传感器设计温控系统 要求如下： （1） 在前三个数码管上显示当前采集到的环境温度（0－99.9度）； （2） 当环境温度低于27度时，蜂鸣器开始以慢“滴”声报警，并且伴随P1.0口发光二极管闪烁（模拟开启制热设备）；当环境温度继续降低并低于25度时，蜂鸣器以快“滴”声报警，并且伴随P1.0和P1.1口发光二极管一起闪烁（模拟加大制热设备功率）； （3） 当环境温度高于30度时，蜂鸣器开始以慢“滴”声报警，并且伴随P1.2口发光二极管闪烁（模拟开启制冷设备）；当环境温度继续升高并高于32度时，蜂鸣器以快“滴”声报警，并且伴随P1.2和P1.3口发光二极管一起闪烁（模拟加大制冷设备功率） （4） 用串口将采集到的温度数据实时发送至上位机，在上位机软件上显示当前温度值。 (关于温度变化的实现，可参考以下方法：室温通常在28度左右，用手捏住温度传感器可使其温度上升，用温度低的物体接触温度传感器可使其温度降低，或在温度传感器上淋点水，然后对着温度传感器吹气可以使温度迅速下降，大家也可想其他办法使温度传感器周围在25－32度变化。) 接线：P0口接LED段码，P2口接LED位码，P1.0－P1.3接发光二极管，P1.6接蜂鸣器，P1.7接DS18B20的I/O口。 附：DS18B20与单片机的接法： 【精品文档】第 7 页