贴片电容C0G、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别

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1、贴片电容COG、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别 在我们选择无极性电容式,不知道大家是否有注意到电容的 X5R, X7R Y5V, COG等等看上 去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的文献, 现在翻译出来奉献给 大家。 1 / 3 这个是按美国电工协会(EIA)标准,不同介质材料的 MLCC按温度稳定性分成三类: 超稳定级(工类)的介质材料为 COG或NPO;稳定级(II类)的介质材料为 X7R;能用级(川) 的介质材料Y5V。 这类参数描述了电容采用的电介质材料类别, 温度特性以及误差等参数, 不同的值也对 应着一定的电容容量的范围。具体来说

2、,就是 :X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容, 这类电容适用于 滤波,耦合 等场合,电介质常数比较大,当温度从 0C变化为70C时, 电容容量的变化为 土 15% Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容,温度范围比较宽, 随着温度变化,电容容量变化范围为土 10%或者+22%/-82%。对于其他的编码与温度特性的关 系,大家可以参考表 4-1。例如,X5R的意思就是该电容的正常工作温度为 -55 C~+85 C, 对应的电容容量变化为土 15% 下面我们仅就常用的 NPO X7R Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用 以及采购中 应注意的订货事项以引起

3、大家的注意。 不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的 命名方法,这里我们引用的是 AVX公司的命名方法,其他公 司的产品请参照该公司的产品 手册。NPO X7R Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填 充介质不同所组成的电容器的容量就不同, 随之带来的电容器的介质损耗、 容量稳定性等也 E ! X7R X : -55cC 7 *125 -G R:15% 就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 Law Temp. Symbol High Temp. Sywibol Max. Cap. change ot

4、cf tamp,間门孝 (対 SyEbal Z *4? 2 A -30 +65 4 1.5 B- 5 22 C +10S 6 3.3 D 卜t25 4.7 E +15U g 7.5 乍 9 10 L * F -22 s +.22 to -13 T +22 to -3& U +22 E d $2 V X7R. Z5U和Y5V电容器 Z5U Z : *10-^0 5: *6

5、5 P U :+22to -56^ X5R ,or(B} X : -55-C 沖萌 Pj 5 : J+E5 cC) Y5V (F} Y: -M -C g cC) 5 : +B5 3C ,(*55^) V:*22 肝-32% ,{*30tQ-80%> 一 NPO电容器 NPO是一种最常用的具 有温度补偿特性的单片陶瓷电容器 。它的填充介质是由铷、钐和 一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是 电容量和介质损耗最稳定 的电容器之一。在温度 从-55C到+125C时容量变化为 0土 30ppm/C ,电容量随频率的变化小于土 0.3 △ C。NPO电容 的漂移或滞后小于

6、 0.05%, 相对大于 2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。 其典型的容量相对使用寿命的变化小 于土 0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封 装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了 NPO电容器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。 通常C0G和NPO指的是I类电介质,温度特性-2-55C ~125C容量变化率30ppm以内, 现在C特性都用C0G来表示,不用 NP0表示了。 二X7R电容器 X7R电容器被称为 温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55C到+125C时其容量变化

7、为 15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大 约每10年变化1%A C,表现为10年变化了约5% X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用, 而且当电压变化时其容量变化是可以接受 的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 下表给出了 X7R电容器 可选取的容量范围。 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于 Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷 单片电容起来说在相同的体 积下Z5U电容器有最大的电容

8、量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大, 它的老化率最 大可达每 10 年下降 5%。 尽管它的容量不稳定, 由于它具有小体积、 等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR 低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。 尤其是在退耦电路的应用中。 下表给出了 Z5U电容器的取值范围。 Z5U电容器的其他技术指标如下 :工作温度范围 +10C --- +85C温度特性+22% ----56% 介质损耗 最大 4% 四Y5V电容器 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在 -30C到85C范围内其容量变化可达 +22%到-82%。 Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下

9、制造出高达 4.7卩F电容器。 Y5V电容器的取值范围如下表所示 Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30C --- +85C温度特性+22% ---- -82% 介质损耗 最大 5% 贴片电容器命名方法可到 AVX网站上找到。 五NPO,X7R及Y5V电容的特性及主要用途 NPO的特性及主要用途 属1类陶瓷介质,电气性能稳定,基本上不随时间、温度、电压变化,适用于高可靠、高稳 定的高额、特高频场合。 特性: 电容范围 1pF 〜O.luF (1 0.2V rms 1MHz) 环境温度:-55C〜+125C组别:CG 温度特性: 0 土 30ppm/C 损耗角正

10、切值: 15x10-4 绝缘电阻:> 10GQ 抗电强度:2.5倍额定电压5秒 浪涌电流:w 50毫安 X7R的特性及主要用途 属 2 类陶瓷介质,电气性能较稳定,随时间、温度、电压的变化,其特性变化不明显,适用 于要求较高的耦合、旁路、源波电路以及 10 兆周以下的频率场合。 特性: 电容范围 300pF〜3.3uF (1.0 0.2V rms 1KHz) 环境温度:-55C〜+125C组别:2X1 温度特性: 15% 损耗角正切值: 100Volts: 2.5% max 50Volts: 2.5% max 25Volts: 3.0% max 16Volts: 3.

11、5% max 10Volts: 5.0% max 绝缘电阻: >4GQ或 > 100S/C (单位:MQ ) 抗电强度:2.5倍额定电压5秒 浪涌电流:w 50毫安 Y5V的特性及主要用途 属 2 类陶瓷介质,具有很高的介电系数,能较容易做到小体积,大容量,其容量随温度变 化比较明显,但成本较低。广泛应用于对容量,损耗要求不高的场合。 特性: 电容范围 1000pF 〜22uF (0.3V 1KHz) 环境温度:-30C〜+85C 温度特性: 22%〜 -82% 损耗角正切值: 50Volts: 3.5% 25Volts: 5.0% 16Volts: 7.0% 绝缘电阻: >4GQ或 > 100S/C (单位:MQ ) 抗电强度:2.5倍额定电压5秒 浪涌电流:w 50毫安 3 / 3

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