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1、剖面图：
1、初始氧化
为阱区的选择性刻蚀和随后的阱区深度注入做工艺准备。阱区掩蔽氧化介质 层的厚度取决于注入和退火的掩蔽需要。
P型衬底
SiO：
< a)氧化形成二氧化硅层,
作为形成N阱的掩蔽膜
2.阱区光刻。
是该款n阱硅栅CMO集成电路制造工艺流程序列的第一次光刻。 若采用典型 的常规湿法光刻工艺，应该包括：涂胶，前烘，压板，曝光，显影，定影，坚膜， 腐蚀。
—S10：
P型衬底
(b)第一次光刻形
成N阱窗口
3.n阱注入。
是该n阱硅栅COM集成电路制造工艺流程序列中的第一次注入参杂。 P阱注
入工艺环节的工艺要求是形成 n阱区。
2、N阱
P型衬底
(c>确鳶子注入形成浅
结后,退火扩散形成N阱
4.剥离阱区氧化层
N阱
P型衬底
〔d)除去二氧化硅层
5.热生长二氧化硅缓冲层：
消除Si-Si3N4界面间的应力，第二次氧化
垫氧化层
N阱
P型衬底
(e)氧化形成垫氧
化层〉作为缓冲层
6.LPCVD制备 Si3N4 介质。
氮化硅层
< f) lpcvd形成氮化硅层
7.有源区光刻：即第二次光刻
P型衬底
3、化层
Npfl
P型衬底
Ch)用湿氧法生成二氧化 硅层用于器件隔离
9.剥离Si3N4层及SiO2缓冲层。
(1)刻蚀氮化硅 和垫氧化层
10.热氧化生长栅氧化层: 第四次氧化。
栅氧化层
第四次氧化形成栅氧 化层
11.生长多晶硅
多晶硅
4、
（好淀积多晶硅
12. 刻蚀多晶硅栅：
形成N沟MOS管和P沟MOS管的多晶硅栅欧姆接触层及电路中所需要的多晶 硅电阻区。
<0刻蚀多晶硅形成源
漏区掺杂窗口
13. 涂覆光刻胶，刻蚀n沟MOS管区域的胶膜，形成CMO管的源区和漏区
宫子注入形成源漏区
光刻胶
14. 涂覆光刻胶，刻蚀p沟MOS管区域的胶膜，形成CMOS?的源区和漏区
N阱
(n)光刻胶掩膜保护nMOS源 漏区，硼离子注入形咸EMOSJS 漏区
15.去光刻胶
N阱
P型衬底
CMOS芯片N阱剖面图
