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1、二维钙钛矿发光材料的特性
有机金属卤素钙钛矿最近不仅在太阳能电池上，而且在显示领域也有巨大的潜力，如 LED器件。通过对钙钛矿纳米晶体的特别调整来探索其光学特性可以很好地增强器件的效 率和功能性。文章主要探索胶体有机金属卤素钙钛矿纳米片的结构特点，量子尺寸效应以 及将这种二维钙钛矿材料应用于发光器件的优势和有待改进的地方。
关键词：纳米片；钙钛矿；光致发光；量子尺寸效应
2014年的诺贝尔物理学奖让基于蓝光 LED的白光照明技术得以被人们广泛熟知。以
砷化镓、氮化镓等材料为代表的无机发光二极管在显示、通讯以及照明领域有着重要的应 用前景。而与无机材料相对于的，从 20世纪90年代起
2、，以有机材料为代表的电致发光二
极管（OLED ）发展迅猛，以轻薄、柔性、大面积发光、制备工艺简单、低温特性好等特 点而备受关注。在照明领域 OLED已经成为了 LED的重要补充。相对于无机 LED材料苛
刻的工艺制备和昂贵的设备， OLED的制备相对简单，其发光光谱更容易调节和选择。而
对于下一代的LED器件，我们认为其应该具备以下条件：
i） 高效率，高色纯且颜色可调节；
ii） 制备工艺简单，生产成本较低；
而这几年兴起的钙钛矿 LED很好的吻合了这一趋势，在过去的两年里，钙钛矿 LED 的光致发光量子产率（PLQY ）已经能够接近100%，并在亮度和效率方面达到了 OLED
3、 近二十年发展才达到的水平；并且钙钛矿可以低温制备，极大降低了生产成本；鉴于器件
中电子和空穴注入平衡可以使得器件的效率最大化，而钙钛矿材料作为双极性材料，可以 同时很好的传输电子和空穴；通过对钙钛矿卤素阴离子和有机阳离子的混合掺杂，可以实 现发光颜色可调节性；钙钛矿材料缓慢的俄歇复合，说明了其非辐射复合少而且钙钛矿发 光的色彩的纯度高，光谱的半高全宽很窄。
但是，钙钛矿材料应用于发光器件也存在着一些问题：
i） 器件中载流子在钙钛矿材料中的有效注入差，以及漏电流大
ii） 钙钛矿材料的载流子复合效率低
iii） 激子结合能很小
由于钙钛矿发光器件的薄膜很薄，其孔洞较多
4、。因而对于实现钙钛矿材料的有效注 入，减少漏电流显得十分重要。目前研究人员主要是通过化学的方法来研究：一种方法是 在钙钛矿前驱体溶液中加入酸性物质（如 HBr），来减缓结晶速率获得又薄又好的膜；一种
方法是添加物质来降低前驱体溶液的溶解度，诱导快速成核以降低晶粒尺寸，提升薄膜的 平整度［3］。还可以制备一种聚合物-钙钛矿混合薄膜，通过在钙钛矿中掺入绝缘的聚合物
（如PIP，PEO等）来钝化这些空洞，虽然绝缘的聚合物使得电流密度下降，但是开启电 压下降，EQE得到增强［1,2］。
而对于钙钛矿材料的载流子复合效率低以及激子结合能比较小的问题，目前科研人员 主要是通过降低体钙钛矿的维度，形成
5、层状的二维或准二维的钙钛矿结构，来利用这种纳 米结构的量子限域效应提高载流子的复合，增加激子结合能。为了更好地理解这种层状结 构，我们首先了解一下钙钛矿的基本结构。
图1:钙钛矿的基本结构
有机金属卤素钙钛矿自从 1970年就已经被研究了，但是在最近的五年里显露出了其
巨大的潜力。钙钛矿卓越的光电特性，使得其不仅可以作为光伏器件，也可以作为发光器
件。通常来说，广义的钙钛矿有着 AMX 3结构通式(如图1所示)，被广泛运用于铁电、
压电、磁阻、半导体和催化器件。其中 A(e.g., Ca2+, Sr2+, Ba2+等)为大半径的阳离
子，m (e.g., Ti4+,
6、 Zr4+等)为小半径的阳离子，X为卤素阴离子(x=o 2-,F-,c「,Br-,「), 为了定量地描述钙钛矿结构的稳定性，引入一个参数“容忍因子” t和八面体因子卩来定
量评估这一关系，即：
t = (???+ ???/ ^2(????/ ?专
其尸rM / rx，当满足0.81 < t < 1.11 和0.44 <卩< 0.90 时,AMX 3化合物为钙钛矿结
构，其中t = 1.0 时形成对称性最高的立方晶格；当 t位于0.89 — 1.0之间时，晶格为菱面 体结构(三方晶系);当t < 0.96时，对称性转变为正交结构。
而层状钙钛矿早在1980晚期就已经被研究，但是最近才有
7、实验技术使得在纳米尺度
下探测这些结构成为可能。这些纳米片有更高的激子结合能，更短的荧光衰退时间，和体
材料相比有着更好的吸收截面，以及显著的非线性光学性质，这使得纳米片不仅仅可以作 为发光器件也可以作为光检测器件。
和3D的AMX 3钙钛矿不同的是，层状钙钛矿有着通式 （RH3）2An-i MnX3n+i （n = 1,纯
二维层状结构；n = X,即3D结构；n为其他整数时，准二维层状结构），这是因为引 入的阳离子不匹配由 MX 6八面体所构成的立方八面体腔，即不满足钙钛矿结构容忍因子所 需满足的范围，因而就破坏了立方体的对称性，原先 3D结构中的无机铅卤素层就会分离
成沿着＜
8、001＞ 或＜110＞取向的片状结构来适用这种有机长链阳离子。典型的 MX6的成分 的离子半径Pb2+ （1.19 ?）和I- （2.20 ?）并由此推算出当 A成分的离子半径超过 2.6 ?时，会形成通式为 A2MX4的层状钙钛矿结构。无机层是通过弱的范氏力结合，与通常 的金属硫族化合物（金属阳离子与 Se或S原子之间通过共价键牢固地结合）有着本质区
别［7］。由于二维材料的量子限域效应 ［5］和灵活多变的组成，使层状钙钛矿成为理想的发光
器件。
这种结构的灵活性使得我们可以制备出复杂的结构来获得我们想要的光物理和电荷传 输特性。然而插入的分子的特性影响着层状结构。例如，胺与卤素之间的氢键作用（如图 2所示）对层状钙钛矿的取向和构造有着很强的影响，这已被修正的范氏密度泛函理论 （DFT）所证实；而且有机分子的取向对层状材料的电子特性扮演着决定性的作用。
(b )
n= 1 n= 2 r> = 3
a）层状钙钛矿的基本结构及 b）示意图
二维钙钛矿结构
